- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت HGTP12N60A4D
HGTP12N60A4D دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | HGTP12N60A4D |
|---|---|
| حجم فایل | 75.536 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 8 |
دانلود دیتاشیت HGTP12N60A4D |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
TO220B03 Pkg Drawing 1 pages
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/IGBTs
- Datasheet: onsemi HGTP12N60A4D
- Package: TO-220AB-3
- Manufacturer: onsemi
- Series: -
- Packaging: Tube
- Part Status: Obsolete
- IGBT Type: -
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600V
- Current - Collector (Ic) (Max): 54A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 96A
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
- Power - Max: 167W
- Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
- Input Type: Standard
- Gate Charge: 78nC
- Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
- Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
- Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Mounting Type: Through Hole
- Package / Case: TO-220-3
- Supplier Device Package: TO-220-3
- Base Part Number: HGTP12N60
- detail: IGBT 600V 54A 167W Through Hole TO-220-3